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半導体デバイスにおける電子状態とキャリア輸送特性の理論研究
永溝 幸周 NAGAMIZO Sachika
電気電子情報通信工学専攻 助教
集積エレクトロニクス講座 計算量子情報エレクトロニクス領域 森伸也研究室
キーワード
モデリング、シミュレーション、量子輸送、ワイドギャップ半導体
重点分野
光・量子、カーボンニュートラル
ここがポイント!【研究内容】
半導体材料の特性を記述する計算効率の高いモデルを構築するとともに，これを半導体デバイスの数値シミュレーションに組み込むことで，半導体デバイスのより高精度な特性予測や性能向上指針の提示に向けた理論研究を行っています．近年提案されている，新材料を利用した半導体デバイスでは，従来材料（シリコン）と異なる材料特性がデバイス特性に影響します．そのため，デバイス特性のシミュレーションには，そのような材料特性を考慮可能なモデルが必要です．そこで，材料特性を効率よく記述可能なモデルを新規に開発した上で，半導体デバイスの特性を数値シミュレーションにより計算します．
応用分野
電力変換、半導体
論文・解説等
- [1] S. Nagamizo et al., Japanese Journal of Applied Physics, 64, 01SP14 (2025).
- [2] S. Nagamizo et al., Japanese Journal of Applied Physics, 64, 080901 (2025).
- [3] S. Nagamizo et al., Japanese Journal of Applied Physics, 63, 02SP62 (2024).