窒化ガリウム（GaN）結晶は青色発光ダイオードの材料として知られていますが、次世代パワーデバイスや次世代通信システムへの適用が期待されています。これらのデバイスを普及させるためには、GaN結晶の高品質化及び低コスト化が必要です。我々は液相法であるNaフラックス法を用い、高品質かつ大口径のGaN結晶を成長させる技術を確立しました。近年では気相法であるOVPE法と組み合わせ、GaNインゴットの作製を目指しております。また、同じくパワー半導体材料として注目されている酸化ガリウム結晶のOVPE法による高純度化にも取り組んでおります。