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低エネルギーイオンビーム技術を用いた各種材料の成膜方法の開発
吉村 智 YOSHIMURA Satoru
マテリアル生産科学専攻 准教授
生産プロセス講座 エネルギー形態制御領域 浜口研究室
キーワード
低エネルギーイオンビーム成膜、化合物半導体、絶縁膜、 金属膜
重点分野
エネルギー、触媒・分子技術
ここがポイント!【研究内容】
当研究グループでは、低エネルギーイオンビーム技術を用いた様々な研究テーマに取り組んでいます。近年は、主に各種材料の成膜実験に取り組んでいます。これまでに、化合物半導体（炭化ケイ素など）、絶縁膜（酸化ケイ素）、金属膜（錫など）の成膜に成功しております。原料には、シランのような危険なものは用いずに、安全かつ安価な原料を利用した成膜法の開発を行っています。そのほかに、イオンビーム技術およびアークプラズマ技術を用いた、新しい触媒合成技術の開発にも取り組んでいます。
応用分野
ヘテロエピ成長、質量分析
論文・解説等
- [1] S. Yoshimura et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, Vol. 549, 165276 (2024).
- [2] S. Yoshimura et al., AIP Advances, Vol. 13, No. 11, 115107 (2023).
- [3] S. Yoshimura et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, Vol. 1056, 168707 (2023).