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半導体デバイスのモデリング・シミュレーション
森 伸也 MORI Nobuya
電気電子情報通信工学専攻 教授
集積エレクトロニクス講座 計算量子情報エレクトロニクス領域
キーワード
デバイスシミュレーション、量子輸送、脱炭素社会
重点分野
ＡＩ・データ、情報・通信、光・量子、カーボンニュートラル、革新的マテリアル
ここがポイント!【研究内容】
第一原理計算から経験的モデル、原子論から連続体、量子論から古典論までをつなぐマルチスケール・マルチフィジックスの半導体デバイスのモデリング・シミュレーションを実現。デバイスシミュレータの高速化に向けた高速計算手法も開発。
応用分野
次世代トランジスタ開発、パワーデバイス開発、熱電変換デバイス開発
論文・解説等
- [1] G. Mil'nikov et al., RSDFT-NEGF transport simulations in realistic nanoscale transistors, JCEL 22, 1181 (2023).
- [2] N. Mori et al., Nano-device simulation from an atomistic view, IEDM 2013.
- [3] A. K. Geim et al., Resonant tunnelling through donor molecules, PRB 50, 8074 (1994).