窒化ガリウム（GaN）は次世代パワーデバイスや次世代通信システムへの適用が期待される半導体材料です。GaN自体の高品質化と低コスト化を図りGaNデバイスを普及させることは脱炭素社会の実現に不可欠です。低コストかつ高品質なGaN結晶を得るため、我々は酸化物原料を用いた新規気相成長法（OVPE法）を開発しています。このOVPE法で作製したGaN結晶を用いることで半導体デバイスが従来よりも低損失になることを実証しております。一日もはやく我々の研究が社会実装されることを目指し、企業との共同研究も盛んに行っております。